|
|
|
结果: 找到相关主题 5355 个
-
3503mos场效应管现货,30v70a,KCY3503S参数-KIA MOS管
KCY3503S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流70A；采用高级沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.6mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；低栅极电荷、高电流容量、开关速度快，性能高效稳定；符合RoHS和无卤素标准，品质可靠环保；广泛应用于电脑电源管理、...www.kiaic.com/article/detail/5955.html 2025-10-09
-
电焊机工作原理,电焊机结构详解-KIA MOS管
电焊设备是利用电能，通过加热加压，即正负两极在瞬间短路时产生的高温电弧，来熔化电焊条上的焊料和被焊材料，借助金属原子的结合与扩散作用，使两件或两件以上的焊件牢固的连接在一起的设备。www.kiaic.com/article/detail/5954.html 2025-10-09
-
数字集成电路和模拟集成电路的区别-KIA MOS管
数字集成电路针对离散的数字信号（具有0和1两种状态），实现逻辑运算、数据存储、控制等数字系统功能；模拟集成电路针对连续变化的模拟信号（如随时间连续变化的电压、电流），完成信号放大、滤波、调制、解调等模拟信号处理功能。www.kiaic.com/article/detail/5953.html 2025-10-09
-
电机驱动mos,3010场效应管,to263封装,KCB3010A参数-KIA MOS管
KCB3010A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流120A，采用先进SGT技术制造，先进的双沟道技术降低导通损耗、提高开关性能，极低导通电阻RDS(开启) 4.0mΩ，高效低耗；具有快速切换、低栅极电荷、低反向传输电容、雪崩强度高，在各种应用中稳定可靠，适用于电机驱...www.kiaic.com/article/detail/5952.html 2025-09-30
-
半桥驱动和全桥驱动原理图,工作原理-KIA MOS管
半桥驱动电路是指使用两个开关器件（通常是MOSFET或IGBT）来控制电机的正向和反向运动。其中一个开关器件被连接到电源正极，另一个器件被连接到电源负极，通过控制两个开关的状态来控制电流的流向，从而控制电机的运动方向。www.kiaic.com/article/detail/5951.html 2025-09-30
-
to220,to220封装尺寸图,to220封装mos管引脚-KIA MOS管
to220是大功率晶体管、中小规模集成电路常采用的直插式封装形式，结构分为自带散热器的绝缘与非绝缘两种类型，可通过搭配专用散热器进一步提升散热效率 。该封装设计便于安装，适用于高电流、高电压的工业控制和电力系统领域。www.kiaic.com/article/detail/5950.html 2025-09-30
-
200v130a场效应管,2920mos管,to247封装,KCM2920A参数-KIA MOS管
KCM2920A场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流130A，采用?SGT MOSFET工艺制造，新型沟槽技术，低导通电阻RDS(开启) 9.0mΩ，低栅极电荷，最小化开关损耗、提高效率；快速恢复体二极管，开关特性好、反向恢复时间短，稳定可靠，广泛应用于高频开关和同步整流、d...www.kiaic.com/article/detail/5949.html 2025-09-29
-
光伏逆变器工作原理,光伏并网逆变器-KIA MOS管
光伏逆变器的作用是将太阳能电池板产生的直流电（DC）转换为交流电（AC），并满足电网或用电设备的电能需求。光伏逆变器的核心功能是“电能形式转换”+“电网 / 负载适配”，工作流程为以下阶段（并网逆变器为例）：www.kiaic.com/article/detail/5948.html 2025-09-29
-
74ls48芯片引脚图,功能表,真值表详解-KIA MOS管
74ls48是一种BCD-7段译码器，用于将4位二进制代码转换为七段数字信号输出。7段是一种基于7个LED的小型设备，用于表示从0到9的单个数值。每个7段有七个输入引脚，用于点亮七个段中的单个LED。每次制作单个数字时，某些特定引脚应该有电源输入。www.kiaic.com/article/detail/5947.html 2025-09-29
-
650v超结mos,650v mos管,acdc转换器,KCF6265A参数-KIA MOS管
超结MOS管KCF6265A采用KIA半导体先进的超级结技术制造，低导通电阻RDS(on) 0.33Ω，可以最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲；具有低栅极电荷、高坚固性、快速切换，高效低耗；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定...www.kiaic.com/article/detail/5946.html 2025-09-28
-
肖特基势垒二极管SBD工作原理,应用-KIA MOS管
肖特基势垒二极管利用金属-半导体(M-S)接触特性制成，有点接触型和面结合型两种管芯结构。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。www.kiaic.com/article/detail/5945.html 2025-09-28
-
正弦波逆变器原理,正弦波逆变器电路图-KIA MOS管
正弦波逆变器将直流电转换为与电网相似的标准正弦波交流电，广泛应用于太阳能、电动车充电和移动电源等领域。直流输入：逆变器接收来自直流电源（如蓄电池、太阳能电池）的电能。高频开关电路：通过功率半导体器件（如IGBT、MOSFET）组成的开关电路，将直流电转...www.kiaic.com/article/detail/5944.html 2025-09-28
-
650v超结,11a650v,to263封装,KCB6265A参数-KIA MOS管
超结MOS管KCB6265A采用KIA半导体先进的超级结技术制造，低导通电阻RDS(on) 0.33Ω，可以最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲；具有低栅极电荷、高坚固性、快速切换，高效低耗；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定...www.kiaic.com/article/detail/5943.html 2025-09-26
-
碳化硅mos管的基本结构,应用详解-KIA MOS管
碳化硅mos管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是第三代半导体材料电力电子器件，三个脚分别为栅极（G），漏极（D）和源极（S）。碳化硅MOS为电压型控制器件，具有耐高温，开关速度快，工作频率高等特点。www.kiaic.com/article/detail/5942.html 2025-09-26